Infineon Technologies IRFB4233PBF

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

56A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

370W Tc

Turn Off Delay Time

51 ns

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

通孔

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-40°C

元素配置

Single

功率耗散

370W

接通延迟时间

31 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

37mOhm @ 28A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5510pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

170nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

230V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

56A

阈值电压

5V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

230V

双电源电压

276V

输入电容

5.51nF

漏源电阻

37mOhm

最大rds

37 mΩ

栅源电压

5 V

高度

16.51mm

长度

10.6426mm

宽度

4.82mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准