Infineon Technologies IRFH7110TR2PBF
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IRFH7110TR2PBF
1211-IRFH7110TR2PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-TQFN Exposed Pad
大陆
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MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
--最小包装量--
IRFH7110TR2PBF详情
Infineon Technologies IRFH7110TR2PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TQFN Exposed Pad
供应商器件包装
8-PQFN (5x6)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11A Ta 58A Tc
包装
Cut Tape (CT)
系列
HEXFET®
已出版
2013
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
13.5mOhm @ 35A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3240pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
87nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
IRFH7110TR2PBF拓展信息
Infineon Technologies
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