Infineon Technologies IRFH7182TRPBF

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

23A Ta 157A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

4W Ta 195W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

FASTIRFET™, HEXFET®

已出版

2013

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-N5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.9m Ω @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.6V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3120pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

74nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

157A

最大漏极电流 (Abs) (ID)

23A

漏极-源极导通最大电阻

0.0039Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

728 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅