Infineon Technologies IRFH7187TRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.6V @ 150μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Ta 105A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.8W Ta 132W Tc

已出版

2013

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

FASTIRFET™, HEXFET®

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

JESD-30代码

R-PDSO-N5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6m Ω @ 50A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2116pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

50nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

105A

漏极-源极导通最大电阻

0.006Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

210A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

493 mJ

达到SVHC

unknown

RoHS状态

符合RoHS标准