Infineon Technologies IRFHM831TR2PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A Ta 40A Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

6.2 ns

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2013

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

2.5W

端子位置

DUAL

JESD-30代码

S-PDSO-N5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6.9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.8m Ω @ 12A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1050pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

16nC @ 10V

上升时间

12ns

下降时间（典型值）

4.7 ns

连续放电电流(ID)

14A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

96A

雪崩能量等级（Eas）

50 mJ

恢复时间

22 ns

栅源电压

1.8 V

高度

990.6μm

长度

3.2766mm

宽度

3.3mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准