Infineon Technologies IRFHS8242TR2PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-PowerVDFN

引脚数

6

供应商器件包装

6-PQFN (2x2)

Turn Off Delay Time

5.4 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.9A Ta 21A Tc

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2013

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

2.1W

元素配置

Single

功率耗散

2.1W

接通延迟时间

6.5 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

13mOhm @ 8.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

653pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10.4nC @ 10V

上升时间

19ns

漏源电压 (Vdss)

25V

下降时间（典型值）

5.3 ns

连续放电电流(ID)

9.9A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

25V

输入电容

653pF

恢复时间

17 ns

漏源电阻

13mOhm

最大rds

13 mΩ

栅源电压

1.8 V

长度

2.1mm

宽度

2.1mm

高度

950μm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准