Infineon Technologies IRFL1006
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IRFL1006
1211-IRFL1006
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT223
1最小包装量--
IRFL1006详情
Infineon Technologies IRFL1006重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
供应商器件包装
SOT-223
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
1W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
1999
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
60V
额定电流
1.6A
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
220mOhm @ 1.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
160pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8nC @ 10V
上升时间
18ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
1.6A
输入电容
160pF
最大rds
220 mΩ
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
IRFL1006拓展信息
Infineon Technologies
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