Infineon Technologies IRFL1006PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

3

供应商器件包装

SOT-223

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1.6A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

1999

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

220Ohm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

60V

额定电流

1.6A

功率耗散

2.1W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

220mOhm @ 1.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

160pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8nC @ 10V

上升时间

18ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

1.6A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

双电源电压

60V

输入电容

160pF

最大rds

220 mΩ

栅源电压

4 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅