Infineon Technologies IRFL4310PBF
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IRFL4310PBF
1211-IRFL4310PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
--最小包装量--
IRFL4310PBF详情
Infineon Technologies IRFL4310PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1999
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-PDSO-G4
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
330pF @ 100kHz
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
25nC @ 100kHz
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.6A
漏极-源极导通最大电阻
0.2Ohm
DS 击穿电压-最小值
100V
RoHS状态
符合RoHS标准
IRFL4310PBF拓展信息
Infineon Technologies
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