Infineon Technologies IRFP064VPBF
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IRFP064VPBF
1211-IRFP064VPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-247-3
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MOSFET N-CH 60V 130A TO-247AC
--最小包装量--
IRFP064VPBF详情
Infineon Technologies IRFP064VPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-247AC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
130A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
250W Tc
Turn Off Delay Time
100 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Bulk
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
60V
额定电流
130A
元素配置
Single
功率耗散
250W
接通延迟时间
26 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.5mOhm @ 78A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6760pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
260nC @ 10V
上升时间
200ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
150 ns
连续放电电流(ID)
130A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
输入电容
6.76nF
漏源电阻
5.5mOhm
最大rds
5.5 mΩ
栅源电压
4 V
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRFP064VPBF拓展信息
Infineon Technologies
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