Infineon Technologies IRFR1018ETRRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

供应商器件包装

D-Pak

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

56A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Turn Off Delay Time

55 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

元素配置

Single

功率耗散

110W

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.4mOhm @ 47A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2290pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

69nC @ 10V

上升时间

35ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

46 ns

连续放电电流(ID)

56A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

60V

输入电容

2.29nF

漏源电阻

8.4mOhm

最大rds

8.4 mΩ

高度

2.3876mm

长度

6.7056mm

宽度

6.22mm

RoHS状态

符合RoHS标准