Infineon Technologies IRFR12N25DPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

供应商器件包装

D-Pak

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

14A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

144W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

260Ohm

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

250V

额定电流

14A

功率耗散

144W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

260mOhm @ 8.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

810pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

35nC @ 10V

上升时间

25ns

漏源电压 (Vdss)

250V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

14A

阈值电压

5V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

250V

双电源电压

250V

输入电容

810pF

最大rds

260 mΩ

栅源电压

5 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅