IRFR18N15DTRLP
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Infineon Technologies IRFR18N15DTRLP

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型号

IRFR18N15DTRLP

utmel 编号

1211-IRFR18N15DTRLP

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET,Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.125Ohm;ID 18A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W

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IRFR18N15DTRLP
IRFR18N15DTRLP Infineon Technologies MOSFET,Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.125Ohm;ID 18A;D-Pak (TO-252AA);PD 110W

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IRFR18N15DTRLP详情

Infineon Technologies IRFR18N15DTRLP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    10 Weeks

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

  • 安装类型

    表面贴装

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    18A Tc

  • 已出版

    2004

  • 系列

    HEXFET®

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    不用于新设计

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    125m Ω @ 11A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    900pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    43nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    150V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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