Infineon Technologies IRFR3412PBF
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IRFR3412PBF
1211-IRFR3412PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 100V 48A DPAK
--最小包装量--
IRFR3412PBF详情
Infineon Technologies IRFR3412PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
D-Pak
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
48A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
140W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
100V
额定电流
48A
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
25mOhm @ 29A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3430pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
89nC @ 10V
上升时间
68ns
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
48A
输入电容
3.43nF
最大rds
25 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRFR3412PBF拓展信息
Infineon Technologies
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