Infineon Technologies IRFR3518PBF
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IRFR3518PBF
1211-IRFR3518PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 80V 38A DPAK
--最小包装量--
IRFR3518PBF详情
Infineon Technologies IRFR3518PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
38A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
110W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2002
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
Reach合规守则
not_compliant
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
29m Ω @ 18A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1710pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
56nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
80V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IRFR3518PBF拓展信息
Infineon Technologies
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