Infineon Technologies IRFR3704ZTRRPBF
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IRFR3704ZTRRPBF
1211-IRFR3704ZTRRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 20V 60A DPAK
1最小包装量--
IRFR3704ZTRRPBF详情
Infineon Technologies IRFR3704ZTRRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
D-Pak
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
60A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
48W Tc
Turn Off Delay Time
4.9 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
功率耗散
48W
接通延迟时间
8.4 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
8.4mOhm @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.55V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1190pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
14nC @ 4.5V
上升时间
8.9ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
12 ns
连续放电电流(ID)
60A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
20V
输入电容
1.19nF
漏源电阻
8.4mOhm
最大rds
8.4 mΩ
高度
2.38mm
长度
6.7056mm
宽度
6.22mm
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
IRFR3704ZTRRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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