Infineon Technologies IRFR9N20DPBF

工厂交货时间

14 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

86W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2000

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

380m Ω @ 5.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

560pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

27nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±30V

JEDEC-95代码

TO-252AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9.4A

漏极-源极导通最大电阻

0.38Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

38A

DS 击穿电压-最小值

200V

雪崩能量等级（Eas）

100 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant