Infineon Technologies IRFS59N10DTRRP
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IRFS59N10DTRRP
1211-IRFS59N10DTRRP
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
1最小包装量--
IRFS59N10DTRRP详情
Infineon Technologies IRFS59N10DTRRP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装
D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
59A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
3.8W Ta 200W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
25mOhm @ 35.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2450pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
114nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
59A
输入电容
2.45nF
最大rds
25 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
IRFS59N10DTRRP拓展信息
Infineon Technologies
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