Infineon Technologies IRFSL31N20D

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

31A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.1W Ta 200W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2000

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

82m Ω @ 18A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2370pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

31A

漏极-源极导通最大电阻

0.082Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

124A

DS 击穿电压-最小值

200V

雪崩能量等级（Eas）

420 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant