Infineon Technologies IRGP4072DPBF

工厂交货时间

14 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

300V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7V

Number of Elements

1

Test Conditions

240V, 40A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

180W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

上升时间-最大值

50ns

元素配置

Single

功率耗散

180W

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.7V

最大集电极电流

70A

反向恢复时间

122 ns

JEDEC-95代码

TO-247AC

接通时间

55 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.7V @ 15V, 40A

关断时间-标准值（toff)

309 ns

IGBT类型

Trench

闸门收费

73nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

Td（开/关）@25°C

18ns/144ns

开关能量

409μJ (on), 838μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

最大下降时间 (tf)

124ns

高度

20.701mm

长度

15.875mm

宽度

5.3086mm

RoHS状态

符合RoHS标准