Infineon Technologies IRL3103D2PBF
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IRL3103D2PBF
1211-IRL3103D2PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
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MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB
1最小包装量--
IRL3103D2PBF详情
Infineon Technologies IRL3103D2PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-220-3
安装类型
通孔
表面安装
NO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
54A Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1V @ 250μA
Power Dissipation (Max)
2W Ta 70W Tc
包装
Tube
操作温度
-55°C~150°C TJ
已出版
2004
系列
FETKY™
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
14m Ω @ 32A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2300pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
44nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±16V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
54A
RoHS状态
符合RoHS标准
达到SVHC
compliant
IRL3103D2PBF拓展信息
Infineon Technologies
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