Infineon Technologies IRL3302PBF
- 收藏
- 对比
IRL3302PBF
1211-IRL3302PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 20V 39A TO-220AB
1最小包装量--
IRL3302PBF详情
Infineon Technologies IRL3302PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 7V
Power Dissipation (Max)
57W Tc
Turn Off Delay Time
41 ns
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
39A Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
23MOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
额定电流
39A
元素配置
Single
功率耗散
57W
接通延迟时间
7.2 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
20mOhm @ 23A, 7V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1300pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
31nC @ 4.5V
上升时间
110ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±10V
下降时间(典型值)
89 ns
连续放电电流(ID)
39A
栅极至源极电压(Vgs)
10V
漏源击穿电压
20V
输入电容
1.3nF
漏源电阻
20mOhm
最大rds
20 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRL3302PBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。