Infineon Technologies IRL3502STRRPBF
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IRL3502STRRPBF
1211-IRL3502STRRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
1最小包装量--
IRL3502STRRPBF详情
Infineon Technologies IRL3502STRRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
110A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 7V
Power Dissipation (Max)
140W Tc
Turn Off Delay Time
96 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
20V
额定电流
110A
元素配置
Single
功率耗散
140W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
7m Ω @ 64A, 7V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
700mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4700pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
110nC @ 4.5V
上升时间
140ns
Vgs(最大值)
±10V
下降时间(典型值)
130 ns
连续放电电流(ID)
110A
栅极至源极电压(Vgs)
10V
漏源击穿电压
20V
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRL3502STRRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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