Infineon Technologies IRL3716PBF
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IRL3716PBF
1211-IRL3716PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 20V 180A TO-220AB
1最小包装量--
IRL3716PBF详情
Infineon Technologies IRL3716PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
180A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
210W Tc
Turn Off Delay Time
38 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
4Ohm
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
额定电流
180A
元素配置
Single
功率耗散
210W
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4mOhm @ 90A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5090pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
79nC @ 4.5V
上升时间
140ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
36 ns
连续放电电流(ID)
180A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
20V
双电源电压
20V
输入电容
5.09nF
漏源电阻
4.8mOhm
最大rds
4 mΩ
栅源电压
3 V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRL3716PBF拓展信息
Infineon Technologies
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