Infineon Technologies IRL40T209ATMA1
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IRL40T209ATMA1
1211-IRL40T209ATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerSFN
大陆
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MOSFET N-CH 40V 586A PG-HSOG-8-1
--最小包装量--
IRL40T209ATMA1详情
Infineon Technologies IRL40T209ATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerSFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
300A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
500W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.4V @ 250μA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
StrongIRFET™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
0.72m Ω @ 100A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
16000pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
269nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IRL40T209ATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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