Infineon Technologies IRL5602S
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IRL5602S
1211-IRL5602S
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
--最小包装量--
IRL5602S详情
Infineon Technologies IRL5602S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
24A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Power Dissipation (Max)
75W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
1999
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
42m Ω @ 12A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1460pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
44nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
IRL5602S拓展信息
Infineon Technologies
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