Infineon Technologies IRL5602STRLPBF
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IRL5602STRLPBF
1211-IRL5602STRLPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
--最小包装量--
IRL5602STRLPBF详情
Infineon Technologies IRL5602STRLPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
24A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Power Dissipation (Max)
75W Tc
Turn Off Delay Time
53 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
1999
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
电阻
62mOhm
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
功率耗散
75W
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
42mOhm @ 12A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1460pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
44nC @ 4.5V
上升时间
73ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
84 ns
连续放电电流(ID)
-24A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-20V
双电源电压
20V
输入电容
1.46nF
漏源电阻
42mOhm
最大rds
42 mΩ
栅源电压
1 V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRL5602STRLPBF拓展信息
Infineon Technologies
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