Infineon Technologies IRL5602STRRPBF
- 收藏
- 对比
IRL5602STRRPBF
1211-IRL5602STRRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
--最小包装量--
IRL5602STRRPBF详情
Infineon Technologies IRL5602STRRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
24A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
75W Tc
Turn Off Delay Time
53 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2005
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
功率耗散
75W
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
42mOhm @ 12A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1460pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
44nC @ 4.5V
上升时间
73ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
84 ns
连续放电电流(ID)
-24A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
-20V
输入电容
1.46nF
漏源电阻
42mOhm
最大rds
42 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
IRL5602STRRPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies








哦! 它是空的。