Infineon Technologies IRL80HS120
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IRL80HS120
1211-IRL80HS120
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-VDFN Exposed Pad
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MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
--最小包装量--
IRL80HS120详情
Infineon Technologies IRL80HS120重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-VDFN Exposed Pad
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
11.5W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
32m Ω @ 7.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 10μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
540pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
80V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IRL80HS120拓展信息
Infineon Technologies
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