Infineon Technologies IRLBA1304P

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-273AA

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

185A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

1999

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍外哑光锡

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

250

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4m Ω @ 110A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7660pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

140nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

95A

漏极-源极导通最大电阻

0.004Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

740A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

1160 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant