Infineon Technologies IRLBD59N04ETRLP
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IRLBD59N04ETRLP
1211-IRLBD59N04ETRLP
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-6, D2Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
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MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5
1最小包装量--
IRLBD59N04ETRLP详情
Infineon Technologies IRLBD59N04ETRLP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-6, D2Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
59A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V 10V
Power Dissipation (Max)
130W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2001
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
18m Ω @ 35A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2190pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
50nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±10V
IRLBD59N04ETRLP拓展信息
Infineon Technologies
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