Infineon Technologies IRLH6224TR2PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerTDFN

引脚数

8

供应商器件包装

8-PQFN (5x6)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

28A Ta 105A Tc

Turn Off Delay Time

67 ns

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2013

系列

HEXFET®

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

3MOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

3.6W

功率耗散

3.6W

接通延迟时间

9.4 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3mOhm @ 20A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 50μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3710pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

86nC @ 10V

上升时间

23ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

36 ns

连续放电电流(ID)

28A

阈值电压

800mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

20V

输入电容

3.71nF

恢复时间

57 ns

漏源电阻

3mOhm

最大rds

3 mΩ

栅源电压

800 mV

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅