Infineon Technologies IRLIB4343
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IRLIB4343
1211-IRLIB4343
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
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MOSFET N-CH 55V 19A TO220FP
--最小包装量--
IRLIB4343详情
Infineon Technologies IRLIB4343重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
供应商器件包装
TO-220AB Full-Pak
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
19A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
39W Tc
操作温度
-40°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
740pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
42nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
55V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
IRLIB4343拓展信息
Infineon Technologies
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