Infineon Technologies IRLL3303PBF
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IRLL3303PBF
1211-IRLL3303PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
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Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 0.031 Ohm; Id 4.6A; SOT-223; Pd 1W; Vgs /-16V
--最小包装量--
IRLL3303PBF详情
Infineon Technologies IRLL3303PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
1W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
1999
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
31m Ω @ 4.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
840pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
50nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±16V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IRLL3303PBF拓展信息
Infineon Technologies
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