Infineon Technologies IRLML6401TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.3A Ta

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2003

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 4.3A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

950mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

830pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

12V

JEDEC-95代码

TO-236AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.3A

漏极-源极导通最大电阻

0.05Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

34A

DS 击穿电压-最小值

12V

雪崩能量等级（Eas）

33 mJ

最大耗散功率(Abs)

1.3W

RoHS状态

Non-RoHS Compliant