Infineon Technologies IRLR3714ZPBF
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IRLR3714ZPBF
1211-IRLR3714ZPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
--最小包装量--
IRLR3714ZPBF详情
Infineon Technologies IRLR3714ZPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
D-Pak
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
37A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
35W Tc
Turn Off Delay Time
9.2 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
20V
额定电流
37A
元素配置
Single
功率耗散
35mW
接通延迟时间
5.4 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
15mOhm @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.55V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
560pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7.1nC @ 4.5V
上升时间
7.6ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4.3 ns
连续放电电流(ID)
37A
阈值电压
2.1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
20V
输入电容
560pF
恢复时间
32 ns
漏源电阻
25mOhm
最大rds
15 mΩ
高度
2.26mm
长度
6.7056mm
宽度
6.22mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRLR3714ZPBF拓展信息
Infineon Technologies
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