Infineon Technologies IRLR7811WPBF

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

64A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

71W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

Reach合规守则

compliant

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

10.5m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2260pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

64A

RoHS状态

符合RoHS标准