Infineon Technologies IRLR8113
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IRLR8113
1211-IRLR8113
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 30V 94A DPAK
--最小包装量--
IRLR8113详情
Infineon Technologies IRLR8113重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装
D-Pak
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
94A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
89W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2003
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
30V
额定电流
94A
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6mOhm @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.25V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2920pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
32nC @ 4.5V
上升时间
3.8ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
94A
输入电容
2.92nF
最大rds
6 mΩ
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
含铅
IRLR8113拓展信息
Infineon Technologies
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