Infineon Technologies IRLR8503PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

供应商器件包装

D-Pak

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

44A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

62W Tc

Number of Elements

1

已出版

2004

系列

HEXFET®

包装

Tube

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

16mOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

30V

额定电流

44A

功率耗散

62W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

16mOhm @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1650pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 5V

上升时间

18ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

44A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

双电源电压

30V

输入电容

1.65nF

最大rds

16 mΩ

栅源电压

1 V

RoHS状态

符合RoHS标准

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅