Infineon Technologies IRLU3303PBF
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IRLU3303PBF
1211-IRLU3303PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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MOSFET N-CH 30V 35A I-PAK
--最小包装量--
IRLU3303PBF详情
Infineon Technologies IRLU3303PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
引脚数
3
供应商器件包装
I-PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
35A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
68W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
30V
额定电流
35A
功率耗散
57W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
31mOhm @ 21A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
870pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
26nC @ 4.5V
上升时间
200ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±16V
连续放电电流(ID)
35A
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏源击穿电压
30V
输入电容
870pF
漏源电阻
45mOhm
最大rds
31 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRLU3303PBF拓展信息
Infineon Technologies
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