Infineon Technologies IRLU9343PBF

工厂交货时间

11 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

21 ns

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-40°C

电压 - 额定直流

-55V

最大功率耗散

79W

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-20A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

79W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9.5 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

AMPLIFIER

Rds On(Max)@Id,Vgs

105m Ω @ 3.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

660pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

47nC @ 10V

上升时间

24ns

漏源电压 (Vdss)

55V

下降时间（典型值）

9.5 ns

连续放电电流(ID)

-20A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60A

高度

6.22mm

长度

6.7056mm

宽度

2.3876mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅