Infineon Technologies ISS55EP06LMXTSA1
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ISS55EP06LMXTSA1
1211-ISS55EP06LMXTSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET P-CH 60V SOT23-3
--最小包装量--
ISS55EP06LMXTSA1详情
Infineon Technologies ISS55EP06LMXTSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
180mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
400mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OptiMOS™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5.5 Ω @ 180mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 11μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
18pF @ 30V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
590pC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
ISS55EP06LMXTSA1拓展信息
Infineon Technologies
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