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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥9.831738
10
¥9.275224
100
¥8.750212
500
¥8.254916
1000
¥7.787658
Infineon Technologies ISZ0602NLSATMA1
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- 对比
ISZ0602NLSATMA1
1211-ISZ0602NLSATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerTDFN
大陆
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MOSFET N-CH 80V 12A/64A TSDSON
--最小包装量--
¥
总价: ¥
ISZ0602NLSATMA1详情
Infineon Technologies ISZ0602NLSATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerTDFN
引脚数
8
供应商器件包装
PG-TSDSON-8-26
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12A (Ta), 64A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.3V @ 29μA
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 60W (Tc)
Base Product Number
ISZ0602N
Qualification
-
Package Type
PQFN 3 x 3
Number of Elements per Chip
1
Continuous Drain Current Id
64A
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
功率耗散
60W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.8mOhm @ 20A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1860 pF @ 40 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
29 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
80 V
Vgs(最大值)
±20V
信道型
N通道
场效应管特性
-
ISZ0602NLSATMA1拓展信息
Infineon Technologies
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