Infineon Technologies ITD50N04S4L04ATMA1

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G4

配置

COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252

最大漏极电流 (Abs) (ID)

50A

漏极-源极导通最大电阻

0.004Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

210 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

RoHS状态

符合RoHS标准