Infineon Technologies S25FL512SAGBHM210
- 收藏
- 对比
S25FL512SAGBHM210
1211-S25FL512SAGBHM210
存储器
24-TBGA
大陆
立即发货

NOR Flash IC 512 Mb FLASH MEMORY
--最小包装量--
S25FL512SAGBHM210详情
Infineon Technologies S25FL512SAGBHM210重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
24-TBGA
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
24-BGA (8x6)
RoHS
Details
Supply Voltage-Min
2.7 V
Active Read Current - Max
90 mA
Timing Type
Synchronous
Qualification
AEC-Q100
Memory Types
NOR
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
676
Tradename
MirrorBit
Package
Tray
Base Product Number
S25FL512
厂商
Infineon Technologies
Product Status
活跃
Supply Voltage-Max
3.6 V
系列
S25FL512S
包装
Tray
操作温度
-40°C ~ 125°C (TA)
技术
FLASH - NOR
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
内存大小
512 Mbit
时钟频率
133 MHz
电源电流-最大值
90 mA
内存格式
FLASH
内存接口
SPI - Quad I/O
写入周期时间 - 字符、页面
-
组织的记忆
64M x 8
S25FL512SAGBHM210拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies







哦! 它是空的。