Infineon Technologies S29GL512S10DHA020
- 收藏
- 对比
S29GL512S10DHA020
1211-S29GL512S10DHA020
存储器
FBGA-64
大陆
立即发货

NOR Flash Nor
1最小包装量--
S29GL512S10DHA020详情
Infineon Technologies S29GL512S10DHA020重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
FBGA-64
安装类型
表面贴装
引脚数
64
供应商器件包装
64-FBGA (9x9)
RoHS
Details
Mounting Styles
SMD/SMT
Supply Voltage-Min
2.7 V
Active Read Current - Max
60 mA
Interface Type
Parallel
Timing Type
Asynchronous
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
Qualification
AEC-Q100
Memory Types
NOR
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
2600
Tradename
MirrorBit
Unit Weight
0.812183 oz
Mounting
表面贴装
Cell Type
NOR
Maximum Operating Supply Voltage
3.6 V
Number of Words
32 MWords
Block Organization
Symmetrical
ECC Support
无
Minimum Operating Supply Voltage
2.7 V
Typical Operating Supply Voltage
3.0000 V
Supplier Package
FBGA
Product Status
活跃
厂商
Infineon Technologies
Base Product Number
S29GL512
Package
Tray
Supply Voltage-Max
3.6 V
Usage Level
Automotive grade
系列
S29GL512S
包装
Tray
操作温度
-40 to 85 °C
技术
FLASH - NOR
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
内存大小
512 Mbit
速度
100 ns
电源电流-最大值
60 mA
访问时间
100 ns
内存格式
FLASH
内存接口
Parallel
建筑学
镜像位Eclipse
数据总线宽度
16 bit
组织结构
32 M x 16
写入周期时间 - 字符、页面
60ns
地址总线宽度
25 Bit
密度
512 Mbit
筛选水平
汽车
编程电压
2.7, 3.6 V
引导模块
有
标准
Common Flash Interface (CFI)
组织的记忆
32M x 16
S29GL512S10DHA020拓展信息
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon
Infineon







哦! 它是空的。