S34MS02G204BHI010
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Infineon Technologies S34MS02G204BHI010

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型号

S34MS02G204BHI010

utmel 编号

1211-S34MS02G204BHI010

商品类别

存储器

封装

BGA-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NAND Flash Nand

起订量

1最小包装量--

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S34MS02G204BHI010
S34MS02G204BHI010 Infineon Technologies NAND Flash Nand

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S34MS02G204BHI010详情

Infineon Technologies S34MS02G204BHI010重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    BGA-63

  • 引脚数

    63

  • RoHS

    Details

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Interface Type

    Parallel

  • Timing Type

    Asynchronous

  • Supply Voltage-Min

    1.7 V

  • Minimum Operating Temperature

    - 40 C

  • Maximum Operating Temperature

    + 85 C

  • Active Read Current - Max

    20 mA

  • Memory Types

    NAND

  • Moisture Sensitive

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    210

  • Supplier Package

    BGA

  • Typical Operating Supply Voltage

    1.8000 V

  • Minimum Operating Supply Voltage

    1.7 V

  • ECC Support

  • Block Organization

    Symmetrical

  • Number of Words

    128 MWords

  • Maximum Operating Supply Voltage

    1.95 V

  • Cell Type

    SLC NAND

  • Mounting

    表面贴装

  • Supply Voltage-Max

    1.95 V

  • Usage Level

    Industrial grade

  • 系列

    S34MS02G2

  • 包装

    Tray

  • 操作温度

    -40 to 85 °C

  • 内存大小

    2 Gbit

  • 速度

    45 ns

  • 电源电流-最大值

    30 mA

  • 建筑学

    Multiplane

  • 数据总线宽度

    16 bit

  • 组织结构

    128 M x 16

  • 密度

    2 Gbit

  • 筛选水平

    Industrial

  • 编程电压

    1.7, 1.95 V

  • 引导模块

  • 产品

    NAND闪存

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技术文档: Infineon Technologies S34MS02G204BHI010.

S34MS02G204BHI010拓展信息

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