Infineon Technologies SI3443DV

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 4.5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2003

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

ULTRA LOW ON-RESISTANCE

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-G6

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

65m Ω @ 4.4A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1079pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

JEDEC-95代码

MO-193AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4.4A

漏极-源极导通最大电阻

0.065Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

20A

DS 击穿电压-最小值

20V

雪崩能量等级（Eas）

31 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant