Infineon Technologies SI4435DYPBF

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

1999

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

附加功能

超低电阻

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

20m Ω @ 8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2320pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

MS-012AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏极-源极导通最大电阻

0.02Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

50A

DS 击穿电压-最小值

30V

RoHS状态

ROHS3 Compliant