SIDC56D60E6X1SA1
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Infineon Technologies SIDC56D60E6X1SA1

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型号

SIDC56D60E6X1SA1

utmel 编号

1211-SIDC56D60E6X1SA1

商品类别

二极管 - 整流器 - 单

封装

Die

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER

起订量

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SIDC56D60E6X1SA1 Infineon Technologies DIODE GEN PURP 600V 150A WAFER

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SIDC56D60E6X1SA1详情

Infineon Technologies SIDC56D60E6X1SA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    Die

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature (Max.)

    150°C

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2005

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    最后一次购买

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    1

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 应用

    快速软恢复

  • HTS代码

    8541.10.00.40

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    无铅

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    1

  • JESD-30代码

    S-XUUC-N1

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 速度

    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

  • 二极管类型

    Standard

  • 反向泄漏电流@ Vr

    27μA @ 600V

  • 输出电流

    150A

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.25V @ 150A

  • 工作温度 - 结点

    -55°C~150°C

  • 无卤素

    无卤素

  • 平均整流电流(Io)

    150A DC

  • 漏源电压 (Vdss)

    600V

  • 最大反向电压(DC)

    600V

  • 平均整流电流

    150A

  • 相位的数量

    1

  • 最大双电源电压

    600V

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

  • 无铅

    含铅

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SIDC56D60E6X1SA1拓展信息

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